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硅片拋光機技術特點及原理
       硅片拋光機不是碾除整體的糠層，是通過碾除細微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉細粒，拋光機拋光和碾白從工作方面比較存在著很大的差別，拋光機拋光壓力很低，拋光機拋光米粒的時候流體密度很小，拋光時米粒離開鐵輥的速度很快，而且拋光機單位產量拋光運動面積很大。

拋光布采用微細表層結構的軟質發泡聚氨基甲酸人造革。在高速高壓拋光條件下，拋光布和硅片之間形成封閉的拋光劑層。
同時，在硅片表面形成軟質水合膜，拋光盤通過不斷去除水合膜進行硅片的拋光。但是，一旦拋光過程中水合膜發生破裂，會在硅片表面產生加工缺陷。
拋光是硅片的最終加工工序，要求拋光表面具有晶格完整性、高的平面度及潔凈性。使用械化學拋光法可以獲得無加工變質層的表面。為了提高拋光效率，要進行兩次拋光。在第一次拋光中，借助于磨粒與拋光布的機械作用，破壞硅片表面的水合膜進行高效拋光。
因此，必須采用大粒度的磨粒和透氣性能好的拋光布以形成較薄的水合膜，其目的是為獲得硅片的厚度、平面度等。

硅片拋光裝置有單面拋光和雙面拋光兩種，雙面拋光可提高拋光效率和加工精度。